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GeBi4Te7晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331141 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331142 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Effect of nonstoichiometry on the thermoelectric properties of GeBi 4 Te 7." Journal of applied physics 85.6 (1999): 3207-3210. 2，Imai, Yoji, and Akio Watanabe. "Electronic structures of PbBi4Te7 and GeBi4Te7 calculated by a first-principle pseudopotential method." Intermetallics 11.5 (2003): 451-458. 3，Souchay, Daniel, et al. "Layered manganese bismuth tellurides with GeBi 4 Te 7-and GeBi 6 Te 10-type structures: towards multifunctional materials." Journal of Materials Chemistry C 7.32 (2019): 9939-9953. 4， Shelimova, L. E., and M. A. Kretova. "Phase transformations in Ge 3 Bi 2 Te 6, GeBi 2 Te 4 and GeBi 4 Te 7 semiconductor compounds." Izvestiya Akademii Nauk-Rossijskaya Akademiya Nauk. Neorganicheskie Materialy 29.1 (1993): 54-58. |
| 性狀 | 材料名稱
Name GeBi4Te7 性質分類 Electrical properties 拓撲絕緣體,紅外材料，熱電材料，相變材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0.597 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結構 Crystal Structure trigonal 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 貯存 |
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