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GeS 硫化鍺晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331151 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331152 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1, Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017). 2,Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017). 3,Zhang, Shengli, et al. "Two-dimensional GeS with tunable electronic properties via external electric field and strain." Nanotechnology 27.27 (2016): 274001. |
| 性狀 | 材料名稱
Name GeS 性質分類 Electrical properties 拓撲材料，紅外材料 禁帶寬度 Bangap 1.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結構 Crystal Structure 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號