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GeBi2Te4晶體
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| 貨號 | 規(guī)格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331131 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331132 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥0 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產(chǎn)品參數(shù) | 參考文獻
Shamoto, Shin-ichi, et al. "Structural study on optical recording materials Ge2Sb2+ xTe5 and GeBi2Te4." Physica B: Condensed Matter 385 (2006): 574-577. Tichy, L., M. Frumar, and J. Klikorka. "Some electrical properties of GeBi2Te4 single crystals." physica status solidi (a) 56.1 (1979): 323-326. Sterzi, A., et al. "Probing band parity inversion in the topological insulator GeBi2Te4 by linear dichroism in ARPES." Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 225 (2018): 23-27. Collaboration: Authors and editors of the volumes III/17H-17I-41E. "PbSb2S4, GeSb2Te4, GeBi2Te4, SnBi2Te4 crystal structure, physical properties." Ternary Compounds, Organic Semiconductors (2000): 1-5. Iwaya, Katsuya, et al. "STM Studies of ternary topological insulators GeBi2Te4 and SnBi2Te4." APS Meeting Abstracts. 2014. Marcinkova, A., et al. "Topological metal behavior in GeBi 2 Te 4 single crystals." Physical Review B 88.16 (2013): 165128. |
| 性狀 | 材料名稱
Name GeBi2Te4 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，紅外材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0.837 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure trigonal 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 貯存 |
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