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GaPS4晶體
英文名：
Cas號：
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檢測信息查詢
| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331111 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331112 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1， Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868. |
| 性狀 | 材料名稱
Name GaPS4 性質分類 Electrical properties 拓撲材料，半導體 禁帶寬度 Bangap 2.322 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定，不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
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