小程序掃碼下單
本網站銷售的所有產品僅用于工業應用或者科學研究等非醫療目的，不可用于人類或動物的臨床診斷或者治療，非藥用，非食用。
GaGeTe晶體
英文名：
Cas號：
Cas號：
檢測信息查詢
| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331101 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331102 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻：
1， Drasar, C., et al. "Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe." Journal of Solid State Chemistry 193 (2012): 42-46. 2， Wang, Weike, et al. "Ultrathin GaGeTe p-type transistors." Applied Physics Letters 111.20 (2017): 203504. 3，Kucek, Vladimir, et al. "Optical and transport properties of GaGeTe single crystals." Journal of crystal growth 380 (2013): 72-77. |
| 性狀 | 材料名稱
Name GaGeTe 性質分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，半導體，紅外材料，熱電材料， TI，Semiconductor，IR 禁帶寬度 Bangap 0.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定，不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號