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GeTe晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331171 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331172 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻：
1，Nonaka, Toshihisa, et al. "Crystal structure of GeTe and Ge2Sb2Te5 meta-stable phase." Thin Solid Films 370.1-2 (2000): 258-261. 2，Wiedemeier, Heribert, Eugene A. Irene, and Asim K. Chaudhuri. "Crystal growth by vapor transport of GeSe, GeSe2, and GeTe and transport mechanism and morphology of GeTe." Journal of Crystal Growth 13 (1972): 393-396. 3，Seddon, T., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "An acoustic anomaly at the phase transition in GeTe SnTe alloy single crystals." Solid State Communications 17.1 (1975): 55-57. |
| 性狀 | 材料名稱
Name GeTe 性質分類 Electrical properties 拓撲材料，相變材料 禁帶寬度 Bangap 0.5 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation Medium 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation Medium |
| 貯存 |
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