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二硫化鉬薄膜: MoS2
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
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| 產品參數 | 目前最大尺寸4英寸圓片，更大尺寸（8，12英寸）即將面市。
基本性質: 無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導體，屬于過渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。 制造方法： 化學氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD） 產品簡介： 六碳科技的MoS2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的三角狀單晶晶粒，三角邊長一般是幾十至一百微米。 2） 由三角晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜。 3） 多層MoS2 連續薄膜。 4） 基底：MoS2可選基底較多，其中最常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金屬基底等是通過在藍寶石上生長后轉移至客戶所需基底。 應用領域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學傳感等領域。 包裝及規格 10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片，4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。 凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。 典型客戶包括： MIT、加州理工、斯坦福大學； 牛津大學、曼徹斯特大學； 首爾大學、韓國科學技術院（KAIST）、成均館大學； 東京工業大學、村田制作所 清華大學、北京大學、中科院半導體所 等世界一流研究機構。 |
| 性狀 | 尺寸：10mm*10mm
形貌： 單層三角單晶晶粒 單層連續薄膜 多層連續薄膜 基底種類： SiO2/Si(300nm氧化層） SiO2/Si(100nm氧化層） SiO2/Si(500nm氧化層） SiO2/Si(其他厚度） 藍寶石（單面拋光） 藍寶石（雙面拋光） 光學石英 柔性PET 硅片 高阻本征硅（>10000ohm.cm）太赫茲專用 SOI PDMS 云母 SrTiO3鈦酸鍶 玻璃 ITO 金膜 銀膜 銅膜 GaAs砷化鎵 TEM銅網 其他基底 |
| 貯存 |
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