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CVD 二硒化鉬:MoSe2
英文名:
Cas號:
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081332012 | 玻璃 | 0 | ¥4320 | |||
| 13081332011 | 連續薄膜 | 0 | ¥2720 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 制造方法:
化學氣相沉積法, Chemical Vapor Deposition (CVD) 產品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜,上面有多層區域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉移至客戶所需基底。 應用領域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學傳感等領域。 包裝及規格 10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片,4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。 凈化抽真空包裝, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。 |
| 性狀 | 基底種類:
SiO2/Si(300nm氧化層) SiO2/Si(其他厚度) 藍寶石(單面拋光) 藍寶石(雙面拋光) 光學石英 柔性PET 硅片 高阻本征硅(>10000ohm.cm)太赫茲專用 SOI PDMS 云母 SrTiO3鈦酸鍶 玻璃 ITO 金膜 銀膜 銅膜 GaAs砷化鎵 TEM銅網 MoSe2形貌: 孤立晶粒 連續薄膜 |
| 貯存 |
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