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PbSb2Te4晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331631 | 大于10毫克 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331632 | 大于25毫克 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1，Menshchikova, Tatiana V., Sergey V. Eremeev, and Evgueni V. Chulkov. "Electronic structure of SnSb2Te4 and PbSb2Te4 topological insulators." Applied surface science 267 (2013): 1-3. 2， Shelimova, L. E., et al. "Thermoelectric Properties of Layered Anisotropic p-type PbSb2Te4 Compound and Peculiarities of its Energy Spectrum." 5th European Conference on Thermoelectrics, Odessa (Ukraine). 2007. |
| 性狀 | 材料名稱
Name PbSb2Te4 性質分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，紅外材料，熱電材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0.279 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 貯存 |
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