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PbBi4Te7晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331601 | 大于10毫克 | 0 | ¥3120 | |||
| 13081331602 | 大于25毫克 | 0 | ¥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1,Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Electrical transport properties of SnBi4Te7 and PbBi4Te7 with different deviations from stoichiometry." Journal of Physics D: Applied Physics 34.5 (2001): 700. 2,Shelimova, L. E., et al. "Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb 2 Te 4 and PbBi 4 Te 7." Inorganic Materials 43.2 (2007): 125-131. |
| 性狀 | 材料名稱
Name PbBi4Te7 性質分類 Electrical properties 紅外半導體,拓撲絕緣體, 熱電材料 IR Semiconductor, TI 禁帶寬度 Bangap 0.4 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定,不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
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