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In3SbTe2晶體
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Cas號：
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331271 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331272 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻：
Los, Jan H., et al. "First-principles study of the amorphous In 3 SbTe 2 phase change compound." Physical Review B 88.17 (2013): 174203. Naruse, Atsuko, et al. "Crystallizing mechanism and recording properties of In3SbTe2 phase-change optical disks." Japanese journal of applied physics 34.1R (1995): 156. |
| 性狀 | 材料名稱
Name In3SbTe2 性質分類 Electrical properties 相變材料，金屬性層狀材料 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定，不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
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