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In2P3S9晶體
英文名：
Cas號：
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331231 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331232 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥3120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
Parthé, E., and B. Chabot. "Classification of structures with anionic tetrahedron complexes using valence-electron criteria." Acta Crystallographica Section B: Structural Science 46.1 (1990): 7-23. |
| 性狀 | 材料名稱
Name In2P3S9 性質分類 Electrical properties 半導體 Semiconductor 禁帶寬度 Bangap 1.4 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定，不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
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