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磷化銦InP單晶片
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
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| 產品參數 | 品種：
類型： 濃度（cm-3）： 遷移率(cm2/V.S)： 電阻率(?.cm)： 位錯密度(cm-2)： Un-InP <3*1016 >1700 ---- <1000 S-InP N 5*1017 >1700 ----- <1000 Zn-InP P 0.6*1018 >50 ------ <1000 Fe-InP N 107~108 >1700 >107 <1000 |
| 性狀 | 規格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向為、，特殊晶向也可以加工。磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導體材料，具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點。
適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態發光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導/導航、衛星等民用和軍事等領域的應用十分廣闊。 |
| 貯存 |
- [Gln18]-血小板因子 4（15-22）（人） 144207-60-3
- 進口Al2O3+Si薄膜
- 鍺片
- 砷化銦單晶片
- 磷化銦InP單晶片
- SiC襯底晶片
- 銻化銦(InSb)晶體基片
- 鄰苯二甲酸二甲氧乙酯 117-82-8
- Ge片
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