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SnS2 二硫化錫
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081332792-1g | 超 高純 | 0 | ￥2000 | |||
| 13081332791-1g | 高純 | 0 | ￥1000 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1， Liu, Yuhan, et al. "Confining SnS2 ultrathin nanosheets in hollow carbon nanostructures for efficient capacitive sodium storage." Joule 2.4 (2018): 725-735. 2， Zhou, Xing, et al. "Tunneling diode based on WSe2/SnS2 heterostructure incorporating high detectivity and responsivity." Advanced Materials 30.7 (2018): 1703286. 3，Meng, Linxing, et al. "Doping‐Induced Amorphization, Vacancy, and Gradient Energy Band in SnS2 Nanosheet Arrays for Improved Photoelectrochemical Water Splitting." Angewandte Chemie International Edition 58.20 (2019): 6761-6765. 4，Shi, Xiao, et al. "Metallic‐State SnS2 Nanosheets with Expanded Lattice Spacing for High‐Performance Sodium‐Ion Batteries." ChemSusChem 12.17 (2019): 4046-4053. |
| 性狀 | 晶體大小： 5~10 mm
晶體種類： Semiconductor，拓撲材料 純度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 禁帶寬度： 1.44eV 注意事項： 晶體穩定，不需要特殊保存 |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號