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ZrTe3 拓撲絕緣體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331891 | 大于10毫克 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331892 | 大于25毫克 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻：
1， Felser, C., et al. "Electronic properties of ZrTe3." Journal of Materials Chemistry 8.8 (1998): 1787-1798. 2， Hoesch, Moritz, et al. "Disorder Quenching of the Charge Density Wave in ZrTe 3." Physical review letters 122.1 (2019): 017601. 3，Geremew, A., et al. "Current carrying capacity of quasi-1D ZrTe 3 van der Waals nanoribbons." IEEE Electron Device Letters 39.5 (2018): 735-738. |
| 性狀 | 材料名稱
Name ZrTe3 性質分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，紅外材料 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結構 Crystal Structure 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號