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TaNi2Te3晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331811 | 大于10毫克 | 0 | ¥3120 | |||
| 13081331812 | 大于25毫克 | 0 | ¥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
Huang, Jinling. "Structure of Nb/Ta layered ternary tellurides containing first row transition metal atoms." Science in China Series B: Chemistry 43.4 (2000): 337-347. |
| 性狀 | 材料名稱
Name TaNi2Te3 性質分類 Electrical properties 金屬性,超導材料,拓撲材料 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定 |
| 貯存 |
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