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SnBi2Te4晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331731 | 大于10毫克 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331732 | 大于25毫克 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1，Vilaplana, R., et al. "Structural and electrical study of the topological insulator SnBi2Te4 at high pressure." Journal of Alloys and Compounds 685 (2016): 962-970. 2，Pan, Lin, et al. "Transport properties of the SnBi2Te4–PbBi2Te4 solid solution." Journal of Solid State Chemistry 225 (2015): 168-173. 3，Kuropatwa, Bryan A., Abdeljalil Assoud, and Holger Kleinke. "Effects of cation site substitutions on the thermoelectric performance of layered SnBi2Te4 utilizing the triel elements Ga, In, and Tl." Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 639.14 (2013): 2411-2420. |
| 性狀 | 材料名稱
Name SnBi2Te4 性質分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，熱電材料，紅外材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0.429 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy |
| 貯存 |
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