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Nb2SiTe4晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331411 | 大于10平方毫米 | 0 | ¥3120 | |||
| 13081331412 | 大于25平方毫米 | 0 | ¥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
1,Zhao, Mingxing, et al. "Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response." ACS nano 13.9 (2019): 10705-10710. 2,Zhang, Ting, et al. "Two-dimensional ferroelastic semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with promising electronic properties." The Journal of Physical Chemistry Letters (2019). 3,Fang, Wen-Yu, et al. "Nb 2 SiTe 4 and Nb 2 GeTe 4: Unexplored 2D Ternary Layered Tellurides with High Stability, Narrow Band Gap and High Electron Mobility." Journal of Electronic Materials 49.2 (2020): 959-968. |
| 性狀 | 材料名稱
Name Nb2SiTe4 性質分類 Electrical properties 半導體,紅外材料,ferroelastic semiconductors 禁帶寬度 Bangap 0.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定性較好,但需要避開水氧保存 |
| 貯存 |
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