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InSiTe3晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331321 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331322 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
Debbichi, Lamjed, et al. "First-principles investigation of two-dimensional trichalcogenide and sesquichalcogenide monolayers." Physical Review B 93.24 (2016): 245307. Lefèvre, Robin, et al. "Layered tellurides: stacking faults induce low thermal conductivity in the new In 2 Ge 2 Te 6 and thermoelectric properties of related compounds." Journal of Materials Chemistry A 5.36 (2017): 19406-19415. |
| 性狀 | 材料名稱
Name InSiTe3 性質分類 Electrical properties 半導體，熱電材料 禁帶寬度 Bangap 0.8 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定性一般，需要避開水氧保存 |
| 貯存 |
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