小程序掃碼下單
本網站銷售的所有產品僅用于工業應用或者科學研究等非醫療目的，不可用于人類或動物的臨床診斷或者治療，非藥用，非食用。
機械剝離氧化鋁基底單層二硫化鉬
英文名：Mechanical exfoliation MoS2 on Al2O3
Cas號：
Cas號：
檢測信息查詢
| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 1308128095-1盒 | 0 | ￥7700 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 形態：薄膜
參數 基底：氧化鋁 基底尺寸：10 mmx10 mm MOS2面積: ＞10 μm2 機械剝離制備的二硫化鉬，相比較鋰插層制備的單層類石墨烯材料，該類材料具有缺陷少，優異的光學性質，可以研究層數和熒光效應，此外，由于保持了原有晶格結構，所以該類材料是制備器件的理想材料。 |
| 性狀 | |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號