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氧化硅片
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Thermal oxidation 熱氧化（1、干氧/ 2、干氧+濕氧+干氧） 等級/Grade Prime Coating thickness: 5nm to 10000nm±1%超平整氧化厚度均勻性<1%； 直徑/Diameter 4inch /100mm (1 inch – 8 inch / 25.4mm – 200mm) 厚度/Thickness 50nm、100nm、200nm、285nm、300nm、500nm、800nm、1um、2um、3um、5um、8um、10um, etc.5nm到10um各種厚度均可定制. 表面狀態/Finish SSPDSP，etc.單拋單面氧化、單拋雙面氧化、雙拋單面氧化、雙拋單面氧化等； 晶向/orientation （100）（111）（110）（211）（311）（511）(531)，etc. 晶向偏角/Off cut up to 7deg 摻雜類型/Type/Dopant P/B,N/Phos，N/Sb，N/As，Intrinsic 電阻率/Resistivity CZ/MCZ: From 0.001 to 100 ohm.cm FZ: From 100 to >20000 ohm.cm 薄膜/Thin films PVD:Al、Ni、Cu、Ti、Ag、Au、Pt、Fe、Mo，etc. Coating thickness: up to 3000nm±5% LPCVD/PECVD:Oxide、Nitride、TEOS、LTO、SIPOS、SiC、POLY、etc. Coatingthickness: up to 3000nm±3% Thermal oxidation:Oxide Coatingthickness: 5nm to 10000nm±1% Silicon epitaxial wafers and epitaxial services（SOS、GOI、SOI、GaN、GaAs、InP,etc.) 加工服務/Processes 定制單雙拋單雙面氧化硅片、超薄、超厚、超平氧化硅片、切割不同尺寸、不同形狀，打孔氧化硅片； SSP,DSP,ultrathin，ultra flat，etc. 打孔、掏圓、切割、減薄/Punch、Downsizing、dicing、back grinding，etc. |
| 性狀 | 1-8英寸直拉CZ、區熔FZ、單雙面氧化硅片；超薄5nm至超厚10um氧化層均可提供；
專利干氧離子分層氧化均勻性<1%，氧化層致密無漏電，各種特殊厚度要求均可提供； 可提供100nm.285nm、300nm、500nm、1um、2um等不同尺寸進口氧化硅片 |
| 貯存 |
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